PECVD, DC, RF et AC - Traitement par plasma
Plasma sputteringProcédé dans lequel des particules énergétiques issues d'un plasma gazeux bombardent un matériau cible solide, délogeant (pulvérisant) ses atomes. Ces atomes éjectés se déposent ensuite sur un substrat, formant une couche ultra-fine. Il s'agit d'un type de dépôt physique en phase vapeur (PVD) utilisé pour créer des revêtements et des films minces destinés à diverses applications, notamment la fabrication de semi-conducteurs, les dispositifs optiques et les surfaces résistantes à l'usure.4 chambres pour le plasma sputtering (DC, RF and AC)Fonctionnalisation par plasma Déposition de couches minces PECVD deposition Le PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) est une technique de dépôt de couches minces qui utilise l'énergie plasma pour activer des précurseurs gazeux, provoquant leur réaction et la formation d'un film solide sur un substrat. Le principal avantage du PECVD est qu'il fonctionne à des températures plus basses que le CVD classique, ce qui permet de déposer des films de haute qualité sur des matériaux sensibles à la température et de créer diverses couches isolantes, protectrices et électroniques dans les domaines de la microélectronique, de l'optique et du conditionnement.4 chambre pour la déposition et la fonctionnalisation PECVD Traitement par poudre
Les autres équipements et technologies associés
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IBA - Analyse par faisceau d'ions
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IBMM - Modification par faisceaux d'ions
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ToF-SIMS - Spectroscopie de masse par ions secondaires à temps de vol
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XPS - Spectroscopie Photoélectronique à rayons X
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ToF-SIMS - Spectroscopie de masse par ions secondaires à temps de vol
La technique ToF-SIMS (spectroscopie de masse par ions secondaires à temps de vol) permet de déterminer la composition élémentaire et moléculaire de la surface d’un échantillon. Elle est très utile également pour réaliser des cartographies 2D (du µm2 au cm2) et des profils en profondeurs (grâce à un canon de décapage).Les atouts sont :Haute résolution en masseHaute résolution latérale et en profondeur (200nm et 1nm)Haute sensibilité (ppm)Détection parallèle de tous les ionsIdentification élémentaire, isotopique et moléculaire3 modes d’analyse : spectrométrie, imagerie, profilage en profondeur
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XPS - Spectroscopie Photoélectronique à rayons X
La technique XPS permet détecter les éléments présents à la surface d’échantillons, de déterminer leur concentration atomique ainsi que leur état chimique (par ex. C-C, C-O, C-F ou états d’oxydation). Il est également possible de réaliser des profilages en profondeur pour déterminer la concentration atomique de multicouches.
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Les séances du numérique | L'IA a-t-elle une conscience ?
Programme : 17h : Accueil & présentation du film17h15 : Projection du film Ex machina19h05 : Débat « L’IA a-t-elle une conscience ? » (avec Isabelle Linden & Benoît Frenay)19h45 : finDeux experts prendront part au débat : Benoît Frenay qui apportera un éclairage sur les logiques d’apprentissage des intelligences artificielles actuelles et les limites de leur « autonomie ». Peut-on vraiment parler d’intelligence sans conscience ? Jusqu’où peut aller l’imitation ?Isabelle Linden qui interrogera les fondements mêmes de ce que nous appelons « penser » dans une logique informatique. Peut-on créer une machine consciente ? Ou ne sommes-nous que face à des miroirs de nos propres désirs ?
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Former les experts en droit du numérique
La cérémonie de diplomation du master de spécialisation en Droit du Numérique a eu lieu ce vendredi 3 octobre 2025 en présence de la Rectrice, Annick Castiaux, et de la Ministre fédérale du Numérique et de la Politique Scientifique, Vanessa Matz. Une double présence qui symbolise l'importance du rôle des nouveaux diplômés dans nos sociétés toujours plus numérisées.
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Chaire Francqui 2025-2026 en Faculté de droit |Besoin d'environnement, besoin de droit ? - Leçon inaugurale
Cette Chaire Francqui offre un regard neuf sur les avancées mais aussi les tensions qui caractérisent aujourd’hui la manière dont le droit organise la relation de la société à l’environnement, en tant que substrat essentiel à la vie humaine et à l’équilibre des écosystèmes. Loin de présenter ce droit comme ayant atteint son paroxysme, ce sont de ses avancées récentes majeures dont il sera discuté, ainsi que des risques de régression qui le menacent. Si l’ambition de protéger l’environnement est bien devenue une question juridique, comment ses ressorts essentiels sont-ils en train d’évoluer, que ce soit en matière climatique, dans le rapport à la santé humaine ou encore au statut accordé à la nature ?La conférence sera suivie d'un drink local proposé par le Cercle de Droit, la Régionale la Binchoise et la Régionale RTM.Évènement gratuit. Inscription vivement souhaitée.Accueil à partir de 17h30. Début de la leçon à 18h.
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Chaire Francqui 2025-2026 | Besoin d'environnement, besoin de droit ?
En 2025-2026, la Faculté de droit de l’UNamur a l’honneur et le privilège d’accueillir la professeure Delphine Misonne à l’occasion d’une Chaire Francqui qui lui a été décernée par la Fondation Francqui : « Besoin d’environnement, besoin de droit ? ». Delphine Misonne est Maître de recherches FNRS, Professeure à l'UCLouvain, Directrice du CEDRE et membre de l'Académie royale de Belgique.L’organisation de cette chaire s’intègre pleinement dans le Fil Rouge de la Faculté de droit dédiée à ce substrat essentiel à la vie qu’est l’environnement, la nature, notre terre : « Réenchanter la terre ».
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Membres 2025-2027
Pierre AssenmakerSandrine BiémarLouis CarréJérémy DodeigneCatherine GuirkingerWafa HammediErika Lombart (ADRE)Laurence MeurantLouis Escouflaire (logisticien de recherche)
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L'équipe de microscopie électronique
Jean-François Colomer | Responsable et porte-parole
Corry Charlier | Ingénieur
Caroline De Bona | Technicienne
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Microscopes électroniques à balayage
1) JEOL 6010LV
RÉSOLUTION High vacuum mode 4.0 nm à 20 kV 8.0 nm à 3 kV 15.0 nm à 1 kVLow vacuum mode 5.0 nm à 20 kVGROSSISSEMENT 8X à x 300kXMODES D'IMAGERIEen électrons secondaires (SEI)en électrons rétrodiffusés (BEI)
Microanalyseur X à sélection d’énergie SDD QUANTAX et Détecteur pour la diffraction d’électrons rétrodiffusés (EBSD) e-Flash QUANTAX de la marque BRUKERRésolution en énergie < 129 eV à MnKaTaille 30 mm²Refroidi par effetExcellente performance en matière d'éléments légers et de faible énergie, gamme d'éléments B - AmImagerie CMOSRésolution de l'image : 720 x 540 pixelVitesse : jusqu'à 520 images/seconde (fps)L'acquisition et le traitement des données s'effectuent à l'aide de la même interface.
2) JEOL 7500F
RÉSOLUTION 1.0 nm à 15 kV1.4 nm à 1 kV (mode Gentle beam)2.0 nm à 1 kV (mode SEM)GROSSISSEMENT25X à 1000kXMODES D'IMAGERIEen électrons secondaires (2 détecteurs SEI ou LEI)en électrons rétrodiffusés (LABE)en électrons transmis (TED)POTENTIEL D'ACCÉLÉRATIONmode SEM : 0.5 à 30 kV (par pas de 10 V de 0.5 à 2.9 kV et par pas de 100 V de 2.9 à 30 kV)mode GB : de 0.1 à 4 kV (par pas de 100V)
Microanalyseur X à sélection d’énergie JED-2300FDétecteur : Ultra Nine 30Taille 30 mm²Refroidissement par azote liquide (Dewar 9,5 l)Résolution meilleure que 138 eV (FWHM) sur la raie du manganèse KaDétection à partir du Bore jusqu’à l’Uranium
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Microscopes électroniques à transmission
1) FEI TECNAI 10
SOURCEFilament WPERFORMANCES À 100 KVTEM point resolution : 0.42 nmTEM line resolution : 0.34 nmTEM Magnification range : 19X - 530kXMODES D'IMAGERIEmode champ clair (bright field)mode champ sombre (dark field)POTENTIEL D'ACCÉLÉRATIONde 40 kV à 100 kV
2) FEI TECNAI G² 20
SOURCEFilament LaB6PERFORMANCES À 200KVTEM point resolution : 0.27 nmTEM line resolution : 0.14 nmTEM Magnification range : 25X - 700kXMODE STEM - HAADF DETECTORSTEM Resolution : 1 nmSTEM magnification range : 100X - 5MXPOTENTIEL D'ACCÉLÉRATIONde 80 kV à 200 kV
Microanalyseur X à sélection d’énergie SDD QUANTAX de la marque BRUKERDétecteur : XFlash®6 (Dry Silicon Drift SDD)Taille 30 mm²Refroidissement par effet PeltierRésolution meilleure que 129 eV (FWHM) sur la raie du manganèse KaDétection à partir du bérilliumLogiciel de contrôle ESPRIT
3) JEOL JEM-F200 Cryo
SourceCold FEGPERFORMANCES À 200 KVTEM point resolution : 0.27 nmTEM line resolution : 0.14 nmTEM Magnification range : 25X - 700kXMODE STEM À 200 KVSTEM Resolution : 0,19 nmSTEM magnification range : 100X - 5MXPOTENTIEL D'ACCÉLÉRATION80, 120 kV et 200 kVPorte-échantillon cryogénique avec station de pompage (SIMPLE ORIGIN) Porte-échantillon cryogénique à double-grilleMaintien des températures d'échantillon basses et stables à environ -175 °C pendant environ 10 heures± 60° tilt (sur la pièce polaire cryo du F200)
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Autres équipements
Leica EM GP2 Automatic Plunge Freezer
TempératureHumiditéTemps de Pre-blotTemps de BlottingTemps de Post-blotNumber of blottingPosition of blottingRotation de l’échantillonSimple ou multiple blotPeut être optimisé pour chaque spécimen et chaque type de grille. La température et la quantité d’azote peuvent être contrôlées.
Appareils de microtomisation
UC Enuity (LEICA)Ultramicrotome avec chambre cryoEM Rapid (LEICA)Pyramitome
APPAREILS DE MÉTALLISATION À PULVERISATION CATHODIQUE
QUORUM Q150T/ESEpaisseur de dépôt contrôlé par balance à quartzDépôts de métaux (nobles ou oxydables)Dépôt de CarboneHydrophilisation de surfacesJEOL JFC-1300Dépôts d’or
MICROSCOPE OPTIQUE OLYMPUS BX51
Eclairage transmis et réfléchiCamera Olympus SC 30 (capteur CMOS de 3,3 mégapixels)Adaptateur Appareil-photo Olympus u-CMAD3Trinoculaire : x4, x20 et x50Programme Olympus cellSens Entry
SUPPORT INFORMATIQUE
Tecnai Imaging and Analysis softwareAvizo pour tomographie via Tecnai 20Aphelion Dev.Analysis station
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