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SIAM vous propose quelques exemples de services selon la technique utilisée.

Directeur | Julien Colaux Julien Colaux est Docteur en sciences physiques.  Son expertise couvre la physique nucléaire (Analyse par faisceau d'ions - IBA, Implantation ionique) et l'élaboration de couches minces par PVD et PECVD.Contact : julien.colaux@unamur.be  Porte-parole | Pierre Louette Pierre Louette est Docteur en sciences physiques et agrégé de l'enseignement secondaire supérieur.  Son expertise couvre les techniques de spectroscopies d'électrons (XPS, HREELS, EELS, ...) et l'enseignement de la physique.Contact : pierre.louette@unamur.be  Expert IBA | Paul-Louis Debarsy Contact : paul-louis.debarsy@unamur.be  Expert en analyse de surfaces | Alexandre Felten Contact : alexandre.felten@unamur.be   Ingénieur ALTAÏS | Tijani Tabarrant Contact : tijani.tabarrant@unamur.be  Technicien senior | Frédéric ComeAssistante administrative | Olivia Genot Contact | Plateformes technologiques Synthèse, Irradiation et Analyse de Matériaux (SIAM) siam@unamur.be

Contact | Plateformes technologiques Synthèse, Irradiation et Analyse de Matériaux (SIAM) siam@unamur.be

L'IBA utilise des faisceaux d'ions MeV pour sonder la composition et obtenir des profils de profondeur élémentaire dans la couche proche de la surface des solides.Cette technique permet : L'analyse de la biodistribution et biopersistance (in vivo) des nanomatériaux, leur caractérisation et leur quantification ;La caractérisation des matériaux en couches minces et des particules en suspension dans l'air ;L'étude de transformation de phase.L'IBA joue un rôle prépondérant, depuis des décennies en astrophysique nucléaire, science des matériaux, sciences du vivant ou encore sciences du patrimoine et archéologie.

L'IBMM (Ion Beam Modification of Materials) permet de modifier les propriétés électroniques, optiques, mécaniques ou magnétiques de divers matériaux de façon contrôlée. C’est ce qu’on appelle fonctionnaliser les matériaux.Ce procédé permet un contrôle précis de la composition et de la structure des matériaux au niveau atomique, ce qui ouvre la voie à des applications dans les domaines de l'électronique, des biomatériaux et des revêtements spécialisés.

Plasma sputteringProcédé dans lequel des particules énergétiques issues d'un plasma gazeux bombardent un matériau cible solide, délogeant (pulvérisant) ses atomes. Ces atomes éjectés se déposent ensuite sur un substrat, formant une couche ultra-fine. Il s'agit d'un type de dépôt physique en phase vapeur (PVD) utilisé pour créer des revêtements et des films minces destinés à diverses applications, notamment la fabrication de semi-conducteurs, les dispositifs optiques et les surfaces résistantes à l'usure.4 chambres pour le plasma sputtering (DC, RF and AC)Fonctionnalisation par plasma Déposition de couches minces PECVD deposition Le PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) est une technique de dépôt de couches minces qui utilise l'énergie plasma pour activer des précurseurs gazeux, provoquant leur réaction et la formation d'un film solide sur un substrat. Le principal avantage du PECVD est qu'il fonctionne à des températures plus basses que le CVD classique, ce qui permet de déposer des films de haute qualité sur des matériaux sensibles à la température et de créer diverses couches isolantes, protectrices et électroniques dans les domaines de la microélectronique, de l'optique et du conditionnement.4 chambre pour la déposition et la fonctionnalisation PECVD Traitement par poudre Les autres équipements et technologies associés Image IBA - Analyse par faisceau d'ions Voir le contenu Image IBMM - Modification par faisceaux d'ions Voir le contenu Image ToF-SIMS - Spectroscopie de masse par ions secondaires à temps de vol Voir le contenu Image XPS - Spectroscopie Photoélectronique à rayons X Voir le contenu

La technique ToF-SIMS (spectroscopie de masse par ions secondaires à temps de vol) permet de déterminer la composition élémentaire et moléculaire de la surface d’un échantillon. Elle est très utile également pour réaliser des cartographies 2D (du µm2 au cm2) et des profils en profondeurs (grâce à un canon de décapage).Les atouts sont :Haute résolution en masseHaute résolution latérale et en profondeur (200nm et 1nm)Haute sensibilité (ppm)Détection parallèle de tous les ionsIdentification élémentaire, isotopique et moléculaire3 modes d’analyse : spectrométrie, imagerie, profilage en profondeur

La technique XPS permet détecter les éléments présents à la surface d’échantillons, de déterminer leur concentration atomique ainsi que leur état chimique (par ex. C-C, C-O, C-F ou états d’oxydation). Il est également possible de réaliser des profilages en profondeur pour déterminer la concentration atomique de multicouches.

En 2025-2026, la Faculté de droit de l’UNamur a l’honneur et le privilège d’accueillir la professeure Delphine Misonne à l’occasion d’une Chaire Francqui qui lui a été décernée par la Fondation Francqui : « Besoin d’environnement, besoin de droit ? ». Delphine Misonne est Maître de recherches FNRS, Professeure à l'UCLouvain, Directrice du CEDRE et membre de l'Académie royale de Belgique.L’organisation de cette chaire s’intègre pleinement dans le Fil Rouge de la Faculté de droit dédiée à ce substrat essentiel à la vie qu’est l’environnement, la nature, notre terre : « Réenchanter la terre ». 

Pierre AssenmakerSandrine BiémarLouis CarréJérémy DodeigneCatherine GuirkingerWafa HammediErika Lombart (ADRE)Laurence MeurantLouis Escouflaire (logisticien de recherche)

Jean-François Colomer | Responsable et porte-parole Corry Charlier | Ingénieur Caroline De Bona | Technicienne

1) JEOL 6010LV RÉSOLUTION   High vacuum mode 4.0 nm à 20 kV 8.0 nm à 3 kV 15.0 nm à 1 kVLow vacuum mode  5.0 nm à 20 kVGROSSISSEMENT 8X à x 300kXMODES D'IMAGERIEen électrons secondaires (SEI)en électrons rétrodiffusés (BEI) Microanalyseur X à sélection d’énergie SDD QUANTAX et Détecteur pour la diffraction d’électrons rétrodiffusés (EBSD) e-Flash QUANTAX de la marque BRUKERRésolution en énergie < 129 eV à MnKaTaille 30 mm²Refroidi par effetExcellente performance en matière d'éléments légers et de faible énergie, gamme d'éléments B - AmImagerie CMOSRésolution de l'image : 720 x 540 pixelVitesse : jusqu'à 520 images/seconde (fps)L'acquisition et le traitement des données s'effectuent à l'aide de la même interface. 2) JEOL 7500F RÉSOLUTION     1.0 nm à 15 kV1.4 nm à 1 kV (mode Gentle beam)2.0 nm à 1 kV (mode SEM)GROSSISSEMENT25X à 1000kXMODES D'IMAGERIEen électrons secondaires (2 détecteurs SEI ou LEI)en électrons rétrodiffusés (LABE)en électrons transmis (TED)POTENTIEL D'ACCÉLÉRATIONmode SEM : 0.5 à 30 kV (par pas de 10 V de 0.5 à 2.9 kV et par pas de 100 V de 2.9 à 30 kV)mode GB : de 0.1 à 4 kV (par pas de 100V) Microanalyseur X à sélection d’énergie JED-2300FDétecteur : Ultra Nine 30Taille 30 mm²Refroidissement par azote liquide (Dewar 9,5 l)Résolution meilleure que 138 eV (FWHM) sur la raie du manganèse KaDétection à partir du Bore jusqu’à l’Uranium